Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/79143
Название: | Effect of reactive gas environment on domain structure and local switching of LiNbO3 thin films deposited on Si(001) by radio-frequency magnetron sputtering |
Авторы: | Turygin, A. P. Abramov, A. S. Alikin, D. O. Dybov, V. A. Kostyuchenko, A. V. Sumets, M. P. Ievlev, V. M. Shur, V. Ya. Шур, В. Я. |
Дата публикации: | 2019 |
Издатель: | Ural Federal University |
Библиографическое описание: | Effect of reactive gas environment on domain structure and local switching of LiNbO3 thin films deposited on Si(001) by radio-frequency magnetron sputtering / A. P. Turygin, A. S. Abramov, D. O. Alikin, V. A. Dybov, A. V. Kostyuchenko, M. P. Sumets, V. M. Ievlev, V. Ya. Shur // Scanning Probe Microscopy. Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. Abstract Book of Joint International Conference (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2019. — P. 277. |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/79143 |
Конференция/семинар: | 3rd International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; 4th Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials ; International Youth Conference "Functional Imaging of nanomaterials" |
Дата конференции/семинара: | 25.08.2019-28.08.2019 |
ISBN: | 978-5-9500624-2-1 |
Сведения о поддержке: | The equipment of the Ural Center for Shared Use “Modern nanotechnology” UrFU was used. The work was supported by Government of the Russian Federation (Act 211, Agreement 02.A03.21.0006) and by Russian Foundation for Basic Research (Grant 18-32-00959). |
Источники: | Scanning Probe Microscopy. Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. — Ekaterinburg, 2019 |
Располагается в коллекциях: | Scanning Probe Microscopy |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
978-5-9500624-2-1_2019_222.pdf | 157,85 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.