Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/79056
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKostritskii, S. M.en
dc.contributor.authorYatsenko, A. V.en
dc.contributor.authorKorkishko, Yu. N.en
dc.contributor.authorFedorov, V. A.en
dc.date.accessioned2019-12-19T12:26:06Z-
dc.date.available2019-12-19T12:26:06Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationKostritskii S. M. Dependence of pyroelectric response on inter-electrode capacitance for integrated-optical circuits utilizing x-cut LiNbO3 chips / S. M. Kostritskii, A. V. Yatsenko, Yu. N. Korkishko, V. A. Fedorov // Scanning Probe Microscopy. Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. Abstract Book of Joint International Conference (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2019. — P. 180-181.en
dc.identifier.isbn978-5-9500624-2-1-
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/79056-
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoenen
dc.publisherUral Federal Universityen
dc.relation.ispartofScanning Probe Microscopy. Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. — Ekaterinburg, 2019en
dc.titleDependence of pyroelectric response on inter-electrode capacitance for integrated-optical circuits utilizing x-cut LiNbO3 chipsen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.conference.name3rd International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; 4th Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials ; International Youth Conference "Functional Imaging of nanomaterials"en
dc.conference.date25.08.2019-28.08.2019-
local.description.firstpage180-
local.description.lastpage181-
Располагается в коллекциях:Scanning Probe Microscopy

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-9500624-2-1_2019_144.pdf380,35 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.