Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/75083
Название: | Study of chemical bath deposited In2S3 thin films |
Авторы: | Tulenin, S. S. Maraeva, E. V. Maskaeva, L. N. Markov, V. F. |
Дата публикации: | 2017 |
Издатель: | Chemical Publishing Co. |
Библиографическое описание: | Study of chemical bath deposited In2S3 thin films / S. S. Tulenin, E. V. Maraeva, L. N. Maskaeva et al. // Asian Journal of Chemistry. — 2017. — Vol. 29. — Iss. 5. — P. 995-998. |
Аннотация: | Indum(III) sulfide (In2S3) thin films were grown by means of chemical bath deposition from acid solution. Calculation of ionic equilibrium with using of thermodynamic constants for systems defines boundary conditions of formation In2S3. Films were characterized by means of XRD, SEM, EDX and XPS methods. According to XRD, films have cubic structure of In2S3. XPS method shown that the surface of In2S3 thin film includes oxygen and carbon contained impurities. SEM confirmed nanosize nature of thin films. Optical band gap of indium(III) sulfide equal to 2.3 eV. |
Ключевые слова: | BOUNDARY CONDITIONS CHEMICAL BATH DEPOSITION INDIUM(III) SULFIDE XPS |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/75083 |
Условия доступа: | info:eu-repo/semantics/openAccess cc-by hybrid |
Идентификатор SCOPUS: | 85015364788 |
Идентификатор PURE: | 1687318 |
ISSN: | 0970-7077 |
DOI: | 10.14233/ajchem.2017.20385 |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2-s2.0-85015364788.pdf | 393,62 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.