ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/66153| Название: | Применение метода сканирующей микроскопии пьезоэлектрического отклика для исследования доменной структуры монокристаллов релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария стронция |
| Авторы: | Шихова, В. А. Шур, В. Я. Пелегов, Д. В. Иевлев, А. В. Подольный, С. А. Болячкин, А. С. Ивлева, Л. И. Dec, J. |
| Дата публикации: | 2011 |
| Издатель: | Уральский государственный университет им. А. М. Горького |
| Библиографическое описание: | Применение метода сканирующей микроскопии пьезоэлектрического отклика для исследования доменной структуры монокристаллов релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария стронция / В. А. Шихова, В. Я. Шур, Д. В. Пелегов, А. В. Иевлев, С. А. Подольный, А. С. Болячкин, Л. И. Ивлева, J. Dec // 2-ая Уральская школа молодых ученых «Современные нанотехнологии. Сканирующая зондовая микроскопия» (19-22 апреля 2011 года, Екатеринбург) : сборник тезисов. — Екатеринбург: УрГУ, 2011. — С. 22. |
| Ключевые слова: | ИССЛЕДОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/66153 |
| Конференция/семинар: | 2-ая Уральская школа молодых ученых «Современные нанотехнологии. Сканирующая зондовая микроскопия» |
| Дата конференции/семинара: | 19.04.2011-22.04.2011 |
| Идентификатор РИНЦ: | https://elibrary.ru/item.asp?id=36698546 |
| Сведения о поддержке: | Работа выполнена при поддержке РФФИ (10-02-96042-р-урал-а, 10-02-00627-а, 11-02-91066-НЦНИ-а, 11-02-91174-ГФЕН-а); Министерства образования и науки (П870, П1262, 14.740.11.0478, 02.74011.0171). |
| Источники: | 2-ая Уральская школа молодых ученых «Современные нанотехнологии. Сканирующая зондовая микроскопия». — Екатеринбург, 2011 |
| Располагается в коллекциях: | Публикации сотрудников |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 07-sh2011.pdf | 564,84 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.