Математическое моделирование рекомбинационных неустойчивостей тока в длинных высокоомных структурах арсенида галлия в условиях локальной засветки

Михайлов, А. И.; Митин, А. В.; Терентьева, А. И.; Mikhailov, A. I.; Mitin, A. V.; Terenteva, A. I.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/62103

Title:	Математическое моделирование рекомбинационных неустойчивостей тока в длинных высокоомных структурах арсенида галлия в условиях локальной засветки
Other Titles:	The mathematical modeling of recombination current instabilities in long high-resistivity gallium arsenide structures under local light action
Authors:	Михайлов, А. И. Митин, А. В. Терентьева, А. И. Mikhailov, A. I. Mitin, A. V. Terenteva, A. I.
Issue Date:	2012
Publisher:	Издательство Уральского университета
Citation:	Михайлов А. И. Математическое моделирование рекомбинационных неустойчивостей тока в длинных высокоомных структурах арсенида галлия в условиях локальной засветки / А. И. Михайлов, А. В. Митин, А. И. Терентьева // Физика и технические приложения волновых процессов = The physics and technology of wave processes : труды XI Международной научно-технической конференции, 26-28 сентября 2012 г. — Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2012. — С. 180-183.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/62103
Conference name:	XI Международная научно-техническая конференция «Физика и технические приложения волновых процессов»
Conference date:	26.09.2012-28.09.2012
ISBN:	978-5-7271-1046-1
Origin:	Физика и технические приложения волновых процессов. — Екатеринбург, 2012
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
978-5-7271-1046-1_2012_079.pdf		792,45 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record