ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/62103| Название: | Математическое моделирование рекомбинационных неустойчивостей тока в длинных высокоомных структурах арсенида галлия в условиях локальной засветки |
| Другие названия: | The mathematical modeling of recombination current instabilities in long high-resistivity gallium arsenide structures under local light action |
| Авторы: | Михайлов, А. И. Митин, А. В. Терентьева, А. И. Mikhailov, A. I. Mitin, A. V. Terenteva, A. I. |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Издательство Уральского университета |
| Библиографическое описание: | Михайлов А. И. Математическое моделирование рекомбинационных неустойчивостей тока в длинных высокоомных структурах арсенида галлия в условиях локальной засветки / А. И. Михайлов, А. В. Митин, А. И. Терентьева // Физика и технические приложения волновых процессов = The physics and technology of wave processes : труды XI Международной научно-технической конференции, 26-28 сентября 2012 г. — Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2012. — С. 180-183. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/62103 |
| Конференция/семинар: | XI Международная научно-техническая конференция «Физика и технические приложения волновых процессов» |
| Дата конференции/семинара: | 26.09.2012-28.09.2012 |
| ISBN: | 978-5-7271-1046-1 |
| Источники: | Физика и технические приложения волновых процессов. — Екатеринбург, 2012 |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 978-5-7271-1046-1_2012_079.pdf | 792,45 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.