Анализ высокочистого тетрафторида кремния атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей возгонкой матрицы

Abstract

Разработана методика анализа высокочистого тетрафторида кремния атомно-эмиссионным методом с предварительным концентрированием нелетучих примесей возгонкой матрицы. Предел обнаружения примесей из аналитической навески 40 г составил 10'6 - 10 10мае. %.

A technique has been developed for analysis of silicon tetrafluoride by atomic-emission method with pre-concentration of non-volatile impurities by matrix sublimation. The limit of detection for impurities with 40 g analytical sample was 106 - 1010 wt. %.