Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/57605
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПименов, В. Г.ru
dc.contributor.authorБуланов, А. Д.ru
dc.date.accessioned2018-03-26T05:49:18Z-
dc.date.available2018-03-26T05:49:18Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.citationПименов В. Г. Анализ высокочистого тетрафторида кремния атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей возгонкой матрицы / В. Г. Пименов, А. Д. Буланов // Аналитика и контроль. — 2004. — № 4. — С. 315-321.ru
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/57605-
dc.description.abstractРазработана методика анализа высокочистого тетрафторида кремния атомно-эмиссионным методом с предварительным концентрированием нелетучих примесей возгонкой матрицы. Предел обнаружения примесей из аналитической навески 40 г составил 10'6 - 10 10мае. %.ru
dc.description.abstractA technique has been developed for analysis of silicon tetrafluoride by atomic-emission method with pre-concentration of non-volatile impurities by matrix sublimation. The limit of detection for impurities with 40 g analytical sample was 106 - 1010 wt. %.en
dc.format.mimetypeapplictaion/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherУральский государственный технический университетru
dc.relation.ispartofАналитика и контроль. 2004. № 4ru
dc.titleАнализ высокочистого тетрафторида кремния атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей возгонкой матрицыru
dc.typeArticleen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articleen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
local.description.firstpage315-
local.description.lastpage321-
Располагается в коллекциях:Аналитика и контроль

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
aik-2004-04-02.pdf2,21 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.