Анализ высокочистого мышьяка атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей отгонкой матрицы из электрода с насадкой

Abstract

Предложен вариант методики атомно-эмиссионного анализа высокочистого мышьяка, позволяющий проводить концентрирование нелетучих примесей в кратере графитового электрода отгонкой матрицы в виде As2О3 из двух - и трёхграммовых навесок, характеризующийся низким значением поправки контрольного опыта. Предел обнаружения примесей распространенных элементов составил 10-7 - 10-8 мас. %, в том числе кремния - 4·10-7 мас. %.

A technique for atomic emission analysis has been developed with preconcentration of non-volatile impurities of 2-3 g weights of high-purity arsenic by sublimation of Ihe matrix In graphite electrode cavity. The limit of detection for the impurities of common elements is in ppb range with 4 ppb for silicon.