Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/51423
Название: Defect structure and defect-induced expansion of MIEC oxides: doped lanthanum cobaltites
Авторы: Zuev, A. Yu.
Sereda, V. V.
Tsvetkov, D. S.
Дата публикации: 2012
Издатель: IOP Publishing
Библиографическое описание: Zuev A. Yu. Defect structure and defect-induced expansion of MIEC oxides: doped lanthanum cobaltites / A. Yu. Zuev, V. V. Sereda, D. S. Tsvetkov // Journal of the Electrochemical Society. — 2012. — Vol. 159. — № 9.
Аннотация: Perovskites based upon substituted LaCoO3-δ are the state-of-the-art materials for a variety of different devices for moderate high temperature applications such as solid oxide fuel cells (SOFCs) and mixed ionic and electronic conducting (MIEC) membranes. The unique feature of the oxides is their ability to undergo both thermal expansion and that induced by the defects of oxygen nonstoichiometry in the oxide lattice. The latter is chemical or defect-induced expansion. This property is extremely sensitive to the defect structure of the oxide material. Therefore reliable data on the defect structure of oxide materials is of key importance to understanding the origin of their chemically induced lattice strain. On the other hand, chemical expansion of oxide crystal cell precisely measured with ppm-resolution allows better understanding its local electronic and defect structure. © 2012 The Electrochemical Society. All right reserved.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/51423
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
bronze
Идентификатор SCOPUS: 84875521791
Идентификатор WOS: 000309104400058
Идентификатор PURE: 1067696
ISSN: 0013-4651
1945-7111
DOI: 10.1149/2.061209jes
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-84875521791.pdf1,09 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.