Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10995/42797
Title: Определение примесного состава кремния (обзор)
Other Titles: The determination of impurities in silicon (review)
Authors: Шелпакова, И. Р.
Шаверина, А. В.
Shelpakova, I. R.
Shaverina, A. V.
Issue Date: 2011
Publisher: Уральский федеральный университет
Citation: Шелпакова И. Р. Определение примесного состава кремния (обзор) / И. Р. Шелпакова, А. В. Шаверина // Аналитика и контроль. — 2011. — № 2. — С. 141-150.
Abstract: В статье представлены наиболее эффективные инструментальные методы определения примесного состава кремния в их развитии. Показана роль предварительного концентрирования примесей отгонкой основы пробы в виде тетрафторида кремния. При сопоставлении методик анализа кремния в первую очередь оценивали количество одновременно определяемых примесей, пределы их обнаружения, доступность необходимого оборудования, длительность анализа и его стоимость.
In this review we present the most effective methods of impurities determination in silicon under their evolution. It has been shown the significance of preliminary concentrating of impurities by distilling off the sample base in the form of SiF₄. By comparing the analytical procedures for characterization of silicon we mean the quantity of impurities which are determined in the same time, the limits of their detection, the accessibility of the needed equipment, the duration of analysis and its cost.
Keywords: SILICON
SURVEY ANALYSIS
CONCENTRATION OF IMPURITIES
LIMIT OF DETECTION
КРЕМНИЙ
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ АНАЛИЗ
КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ
ПРЕДЕЛЫ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ
URI: http://hdl.handle.net/10995/42797
ISSN: 2073-1442
Origin: Аналитика и контроль. 2011. № 2
Appears in Collections:Аналитика и контроль

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
aik_2011_02_141-150.pdf374,79 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.