Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/42797
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Шелпакова, И. Р. | ru |
dc.contributor.author | Шаверина, А. В. | ru |
dc.contributor.author | Shelpakova, I. R. | en |
dc.contributor.author | Shaverina, A. V. | en |
dc.date.accessioned | 2016-11-20T07:33:56Z | - |
dc.date.available | 2016-11-20T07:33:56Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Шелпакова И. Р. Определение примесного состава кремния (обзор) / И. Р. Шелпакова, А. В. Шаверина // Аналитика и контроль. — 2011. — № 2. — С. 141-150. | ru |
dc.identifier.issn | 2073-1442 | - |
dc.identifier.uri | http://elar.urfu.ru/handle/10995/42797 | - |
dc.description.abstract | В статье представлены наиболее эффективные инструментальные методы определения примесного состава кремния в их развитии. Показана роль предварительного концентрирования примесей отгонкой основы пробы в виде тетрафторида кремния. При сопоставлении методик анализа кремния в первую очередь оценивали количество одновременно определяемых примесей, пределы их обнаружения, доступность необходимого оборудования, длительность анализа и его стоимость. | ru |
dc.description.abstract | In this review we present the most effective methods of impurities determination in silicon under their evolution. It has been shown the significance of preliminary concentrating of impurities by distilling off the sample base in the form of SiF₄. By comparing the analytical procedures for characterization of silicon we mean the quantity of impurities which are determined in the same time, the limits of their detection, the accessibility of the needed equipment, the duration of analysis and its cost. | en |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Уральский федеральный университет | ru |
dc.relation.ispartof | Аналитика и контроль. 2011. № 2 | ru |
dc.subject | SILICON | en |
dc.subject | SURVEY ANALYSIS | en |
dc.subject | CONCENTRATION OF IMPURITIES | en |
dc.subject | LIMIT OF DETECTION | en |
dc.subject | КРЕМНИЙ | ru |
dc.subject | МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ АНАЛИЗ | ru |
dc.subject | КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ | ru |
dc.subject | ПРЕДЕЛЫ ОБНАРУЖЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ | ru |
dc.title | Определение примесного состава кремния (обзор) | ru |
dc.title.alternative | The determination of impurities in silicon (review) | en |
dc.type | Article | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
local.description.firstpage | 141 | - |
local.description.lastpage | 150 | - |
Располагается в коллекциях: | Аналитика и контроль |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
aik_2011_02_141-150.pdf | 374,79 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.