Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/35611
Title: Радиационные дефекты в сульфиде цинка
Authors: Давыдов, Д. Н.
Оконечников, А. П.
Issue Date: 2015
Publisher: Уральский федеральный университет
Citation: Давыдов Д. Н. Радиационные дефекты в сульфиде цинка / Д. Н. Давыдов, А. П. Оконечников // Физика. Технологии. Инновации : сборник научных трудов. — Екатеринбург : [УрФУ], 2015. — Вып. 1. — С. 54-58.
Abstract: Сульфид цинка имеет значительный потенциал как перспективный материал силовой оптики, но наличие дефектов и примесей оказывает значительное влияние на свойства реальных образцов. Использование ионизирующих излучений для контролируемого создания дефектов позволяет изучать природу дефектов и их влияние на свойства материалов. Рассматриваются проблемы исследования их влияния и трудности его однозначной интерпретации. Поднимается вопрос влияния примесей и дефектов в облучаемых образцах на образование радиационных дефектов. Важным выводом является то, что при облучении электронами предварительно деформированные образцы демонстрируют более высокую радиационную стойкость при малых флюенсах до 1017 см−2, при больших флюенсах более радиационно-стойкими оказывались исходные образцы с меньшей исходной плотностью дефектов.
Zinc sulfide shows the great potential as the perspective material in the power quantum optic, but the problem is the influence of defects and admixtures on the different properties of the materials. The usage of ionizing radiation for the controlled creation of defects allows us to study the nature of the defects and their influence on the properties of materials. The problems are of the study of their impact and the difficulties of their correct interpretation. The actual question is the issue of the effect of impurities and defects in irradiated samples on the formation of radiation-induced defects. An important conclusion is that under electron irradiation pre-deformed samples show a higher radiation resistance at low fluences up to 1017 cm−2, as at high fluences more radiationresistant proved initial samples with lower initial density of defects.
Keywords: СУЛЬФИД ЦИНКА
ДЕФЕКТ
ПРИМЕСЬ
ДИСЛОКАЦИЯ
СПЕКТР
ZINC SULFIDE
DEFECT
ADMIXTURE
DISLOCATION
SPECTRUM
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/35611
RSCI ID: https://elibrary.ru/item.asp?id=25647284
ISBN: 978-5-905227-08-0
Origin: Физика. Технологии. Инновации. Вып. 1. — Екатеринбург, 2015
Appears in Collections:Конференции, семинары

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fti_2015_10.pdf694,77 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.