Получение пленок твердых растворов системы CdS-PbS путем модификации поверхности пленки сульфида кадмия при выдержке в водном растворе соли свинца

Abstract

Изучены состав, структура и морфология многофазных полупроводниковых пленок свежеосажденного сульфида кадмия и пленок CdS, выдержанных в растворе ацетата свинца PbAc2. Композиции на основе сульфида кадмия, образовавшиеся на межфазной границе CdSтв/Pb2+(aqua), исследовали методами электронной микроскопии, а также с помощью спектров комбинационного рассеяния. Впервые показана возможность получения твердых растворов замещения в халькогенидных системах путем ионного обмена на межфазной границе «пленка халькогенида металла - водный раствор». Обобщая полученные результаты, можно заключить, что выдержка химически осажденных пленок сульфида кадмия в водном растворе соли свинца обеспечивает включение PbS в состав пленки с образованием тонкопленочных композиций CdS-PbS, в том числе твердых растворов замещения Pb1-xCdxS. При этом последующая термообработка слоев при 423 K повышает содержание сульфида свинца в твердом растворе.

The composition, structure, and morphology of multiphase semiconductor as-deposited CdS films and CdS incubated in a lead acetate solution were studied. Compositions examined by electron microscopy and by the Raman scattering. For the first time it was present the formation of a solution at the interface «metal chalcogenide thin film - water solution». Summarizing the results, we can conclude that exposure precipitated films of cadmium sulfide in aqueous salt solution of lead ensures PbS part of the film with the formation of thin-film songs CdS-PbS, including solid solutions substitution Pb1- xCdxS. With subsequent heat treatment of layers when 423 K increases the content of lead sulfide in the solid solution.