1. Электронный научный архив УрФУ
  2. 00. Общеуниверситетские коллекции
  3. Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/27327
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorZatsepin, A. F.en
dc.contributor.authorBuntov, E. A.en
dc.contributor.authorPustovarov, V. A.en
dc.contributor.authorFitting, H.-J.en
dc.contributor.authorПустоваров, В. А.ru
dc.date.accessioned2014-11-29T19:46:54Z-
dc.date.available2014-11-29T19:46:54Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationPhotoluminescence of Se-related oxygen deficient center in ion-implanted silica films / A. F. Zatsepin, E. A. Buntov, V. A. Pustovarov [et al.] // Journal of Luminescence. — 2013. — Vol. 143. — P. 498-502.en
dc.identifier.issn0022-2313-
dc.identifier.other1good_DOI
dc.identifier.otherc5bb920a-8833-465b-a075-c436fa25d63dpure_uuid
dc.identifier.otherhttp://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=8YFLogxK&scp=84879586931m
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/27327-
dc.description.abstractThe results of low-temperature time-resolved photoluminescence (PL) investigation of thin SiO2 films implanted with Se+ ions are presented. The films demonstrate an intensive PL band in the violet spectral region, which is attributed to the triplet luminescence of a new variant of selenium-related oxygen deficient center (ODC). The main peculiarity of the defect energy structure is the inefficient direct optical excitation. Comparison with spectral characteristics of isoelectronic Si-, Ge- and SnODCs show that the difference in electronic properties of the new center is related to ion size factor. It was established that the dominating triplet PL excitation under VUV light irradiation is related to the energy transfer from SiO2 excitons. A possible model of Se-related ODC is considered. © 2013 Elsevier B.V.en
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoenen
dc.sourceJournal of Luminescenceen
dc.subjectION IMPLANTATIONen
dc.subjectOXYGEN DEFICIENT CENTERSen
dc.subjectPHOTOLUMINESCENCEen
dc.subjectSELENIUMen
dc.subjectSILICA FILMSen
dc.subjectDEFECT ENERGYen
dc.subjectLOW TEMPERATURESen
dc.subjectOXYGEN DEFICIENT CENTERSen
dc.subjectPL EXCITATIONSen
dc.subjectSILICA FILMen
dc.subjectSPECTRAL CHARACTERISTICSen
dc.subjectSPECTRAL REGIONen
dc.subjectTIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCEen
dc.subjectELECTRONIC PROPERTIESen
dc.subjectENERGY TRANSFERen
dc.subjectGERMANIUMen
dc.subjectION IMPLANTATIONen
dc.subjectIONSen
dc.subjectOXYGENen
dc.subjectSELENIUMen
dc.subjectSILICAen
dc.subjectPHOTOLUMINESCENCEen
dc.titlePhotoluminescence of Se-related oxygen deficient center in ion-implanted silica filmsen
dc.typeArticleen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articleen
dc.identifier.doi10.1016/j.jlumin.2013.05.041-
dc.identifier.scopus84879586931-
local.affiliationUral Federal University, Mira 19, 620002 Ekaterinburg, Russian Federationen
local.affiliationDepartment of Physics, University of Rostock, Universitдtsplatz 3, D-18051 Rostock, Germanyen
local.contributor.employeeЗацепин Анатолий Федоровичru
local.contributor.employeeБунтов Евгений Александровичru
local.contributor.employeeПустоваров Владимир Алексеевичru
local.description.firstpage498-
local.description.lastpage502-
local.issue143-
local.volume143-
dc.identifier.wos000323912400080-
local.contributor.departmentФизико-технологический институтru
local.identifier.pure897000-
local.identifier.eid2-s2.0-84879586931-
local.identifier.wosWOS:000323912400080-
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
scopus-2013-0487.pdf781,8 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Статистика  Google Scholar





Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.