Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/26773
Название: Localization of charge carriers in layered crystals MexTiSe 2 (Me = Cr, Mn, Cu) studied by the resonant photoemission
Авторы: Yarmoshenko, Y. M.
Shkvarin, A. S.
Yablonskikh, M. V.
Merentsov, A. I.
Titov, A. N.
Дата публикации: 2013
Библиографическое описание: Localization of charge carriers in layered crystals MexTiSe 2 (Me = Cr, Mn, Cu) studied by the resonant photoemission / Y. M. Yarmoshenko, A. S. Shkvarin, M. V. Yablonskikh [et al.] // Journal of Applied Physics. — 2013. — Vol. 114. — № 13.
Аннотация: The probability of charge transfer in layered titanium diselenide between monolayers containing Cr, Mn, and Cu with different concentrations and host lattice TiSe2 is estimated according to the resonant photoemission data. For this purpose, the Raman-Auger contributions and narrow bands just below the Fermi energy were separated in the valence band spectra. These contributions provide the information about charge transfer. It is shown that the localization of the 3d electrons is typical for Cr and Cu atoms and strongly depends on theirs concentration. In MnxTiSe2, Mn 3d electrons are delocalized and the probability of the charge transfer is the greatest as compared with other compounds under investigation. © 2013 AIP Publishing LLC.
Ключевые слова: 3D ELECTRON
CU ATOMS
HOST LATTICE
LAYERED CRYSTALS
NARROW BANDS
RESONANT PHOTOEMISSION
TITANIUM DISELENIDE
VALENCE BAND SPECTRA
CHARGE TRANSFER
SELENIUM COMPOUNDS
THREE DIMENSIONAL
MANGANESE
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/26773
Идентификатор SCOPUS: 84885457078
Идентификатор WOS: 000325488700021
Идентификатор PURE: 858151
ISSN: 0021-8979
1089-7550
DOI: 10.1063/1.4824060
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
scopus-2013-0120.pdf461,87 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.