Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/21923
Title: Исследование и прогнозирование фундаментальных свойств сильнокорреллированных магнитных материалов, перспективных для принципиально новых устройств электроники : заключительный отчет : Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров в области физики конденсированных сред, физического материаловедения
Authors: Мазуренко, В. Г.
Анисимов, В. И.
Зверев, В. В.
Огородников, И. Н.
Пустоваров, В. А.
Мазуренко, В. В.
Кузнецов, А. Ю.
Руденко, А. Н.
Скорняков, С. Л.
Зенков, Е. В.
Иванов, В. Ю.
Байтимиров, Д. Р.
Катанин, А. А.
Шориков, А. О.
Лукоянов, А. В.
Стрельцов, С. В.
Соловьев, И. В.
Лончаков, А. Т.
Смирнов, А. А.
Ищенко, А. В.
Конев, А. С.
Коротин, Д. М.
Порывай, Н. Е.
Седунова, И. Н.
Искаков, С. Н.
Макаров, А. С.
Давыдова, А. О.
Квашнин, Я. О.
Николаев, С. А.
Валентюк, М. В.
Набокова, Т. А.
Кашин, И. В.
Issue Date: 2011
Abstract: Объектом исследований являются материалы спинтроники. Цель работы - решение ряда фундаментальных, методических и практических задач, связанных с теоретическим и экспериментальным исследованиями и описанием необычных электронных, магнитных, термоэлектрических и термомагнитных свойств материалов спинтроники, которые станут основой для создания новых прорывных технологий в электронике. В процессе работы проводились теоретические и экспериментальные исследования конкретных физических систем. Для соединения FeSi и системы твердых растворов Fe1-xCoxSi предложена модель коррелированного зонного изолятора, позволившая впервые правильно воспроизвести весь спектр экспериментальных данных. Впервые в рамках квантового гамильтониана с использованием теории линейного отклика проведено реалистичное моделирование проводимости отдельных атомов кобальта на поверхности Pt(111). Среди практических результатов можно выделить комплексные экспериментальные исследования продольного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в твердом растворе Hg1-xCoxSe и сплаве Гейслера Fe2-xV1+xAl. Кроме того, методом спектроскопия возбуждения фотолюминесценции получена новая информация о глубоких электронных состояниях в валентной зоне материалов спинтроники на основе полупроводников ZnO:3d. Сделан значительный вклад в модернизацию и развитие учебного процесса через разработку плана внедрения результатов НИР в учебный процесс. Методические и практические результаты проекта были использованы для модернизации специализированных лекционных курсов, читаемых для студентов и магистров физико-технологического института ФГАОУ ВПО «УрФУ имени первого Президента России Б.Н.Ельцина».
Keywords: МАТЕРИАЛЫ СПИНТРОНИКИ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
МОДЕЛИРОВАНИЕ
ФУНКЦИОНАЛ ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ
КОРРЕЛЯЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКАЯ РАБОТА
ОТЧЕТ
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/21923
metadata.dc.description.sponsorship: ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы»
Appears in Collections:Гранты, проекты, отчеты

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Otchet_po_NIR_Mazurenko.pdf858,02 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.