Получение пленок твердых растворов системы CdS PbS путем модификации поверхности пленки сульфида кадмия при выдержке в водном растворе соли свинца

Abstract

The composition, structure, and morphology of multiphase semiconductor films of as-deposited CdS and CdS incubated in a lead salt solution were studied. Compositions examined by electron microscopy and by the Raman scattering. For the first time it was present the formation of a solution at the interface "metal chalcogenide thin film - water solution."

Изучены состав, структура и морфология многофазных полупроводниковых пленок свежеосажденного сульфида кадмия и пленок CdS, выдержанных в растворе ацетата свинца PbAc2. Композиции на основе сульфида кадмия, образовавшиеся на межфазной границе CdSтв/Pb2+(aqua), исследовали методами электронной микроскопии, а также с помощью спектров комбинационного рассеяния. Впервые показана возможность получения твердых растворов замещения в халькогенидных системах путем ионного обмена на межфазной границе «пленка халькогенида металла – водный раствор».