Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/20474
Название: | Механизм формирования пленок SnS химическим осаждением из водных растворов |
Другие названия: | Formation mechanism of SnS films by chemical bath deposition from aqueous solutions |
Авторы: | Fedorova, E. A. Bazanova, E. A. Maskaeva, L. N. Markov, V. F. Федорова, Е. А. Базанова, Е. А. Маскаева, Л. Н. Марков, В. Ф. |
Дата публикации: | 2013 |
Библиографическое описание: | Механизм формирования пленок SnS химическим осаждением из водных растворов / Е. А. Федорова, Е. А. Базанова, Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков // Химия в федеральных университетах : материалы докладов конф. — Екатеринбург, 2013. — С. 172-175. |
Аннотация: | The results of investigation of the growth mechanism of SnS thin films prepared by hydrochemical deposition by means of a scanning probe microscopy are presented. According to the results of a comparative analysis of layers morphology at different growth stages and the use of fractal formalism is proposed growth model of SnS films by cluster-cluster aggregation with elements of selforganization. В работе представлены результаты исследования механизма роста пленок сульфида олова при химическом осаждении из водных растворов с использованием сканирующей зондовой микроскопии. По результатам сравнительного анализа морфологии слоев на различных этапах роста и использования фрактального формализма предложена модель роста пленок SnS путем кластер-кластерной агрегации с элементами самоорганизации. |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/20474 |
Конференция/семинар: | Химия в федеральных университетах |
Дата конференции/семинара: | 15.08.2013-17.08.2013 |
Источники: | Химия в федеральных университетах. — Екатеринбург, 2013. |
Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
cfu-2013-38.pdf | 579,16 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.