Способ подготовки поверхности ситалла СТ-50-1 под химическое нанесение токопроводящих и полупроводниковых пленок

Abstract

FIELD: technological processes. SUBSTANCE: present invention relates to the glass ceramic surface preparation technology for the chemical application of current-conducting coatings or semiconductor films, for example, lead or cadmium sulphides, and can be used in production of microchips and photocells. Method for preparation of glass ceramic surface “СТ-50-1” involves undercutting glass ceramic surface with 5 vol.% aqueous solution of hydrofluoric acid for 1.5–2 minutes at room temperature, etching glass ceramic with 40 wt.% aqueous solution of KOH or NaOH at temperature of 60–70 °C for 15–20 minutes and subsequent activation with 0.02 M aqueous solution of AgNO₃ for 15–20 minutes at room temperature. EFFECT: providing a simple method of preparing glass ceramic for uniform application of a current-conducting or semiconductor coating with high adhesion to the glass ceramic base. 1 cl, 7 ex.

Настоящее изобретение относится к технологии подготовки поверхности ситаллов под химическое нанесение токопроводящих покрытий или полупроводниковых пленок, например, сульфидов свинца или кадмия, и может быть использовано в производстве микрочипов и фотоэлементов. Способ подготовки поверхности ситалла СТ-50-1 включает подтравливание поверхности ситалла 5 об.% водным раствором фтористоводородной кислоты в течение 1,5-2 мин при комнатной температуре, травление ситалла 40 мас.% водным раствором КОН или NaOH при температуре 60-70°С в течение 15-20 мин и последующую активацию 0,02 М водным раствором AgNO₃ в течение 15-20 мин при комнатной температуре. Технический результат заключается в обеспечении упрощенным способом подготовки ситалла для равномерного нанесения токопроводящего или полупроводникового покрытия с высоким сцеплением с ситалловой основой. 7 пр.