Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/142447
Title: Способ формирования доменной структуры со 180-градусными стенками в монокристаллической пластине многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика
Other Titles: Method of Forming Domain Structure With 180-Degree Walls in Monocrystalline Plate of Multiaxial Nonlinear Optical Ferroelectric
Patent Number: 2827310
Authors: Ушаков, А. Д.
Шур, В. Я.
Ushakov, A. D.
Shur, V. Ia.
Issue Date: 2024-09-24
Abstract: FIELD: ferroelectrics. SUBSTANCE: invention can be used for formation of a domain structure with 180-degree walls in a monocrystalline plate of a multiaxial nonlinear optical ferroelectric. Method of forming a domain structure with 180-degree walls in a monocrystalline plate of a multiaxial nonlinear optical ferroelectric comprises steps of: on opposite sides of a monocrystalline plate of a multiaxial nonlinear-optical ferroelectric material, solid-state electrodes are applied using a photolithography technique, wherein at least one of the electrodes is made in accordance with a given pattern, then forming a domain structure in a monocrystalline plate by applying a coercive electric voltage between the electrodes under the effect of high temperature, note here that after application of solid-state electrodes, fixing plates are fixed on opposite sides of monocrystalline plate. EFFECT: provision of possibility to exclude formation of twins with non-180-degree walls in domain structure with 180-degree walls, formed in a monocrystalline plate of a multiaxial nonlinear optical ferroelectric. 6 cl, 1 dwg.
Использование: для формирования доменной структуры со 180-градусными стенками в монокристаллической пластине многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования доменной структуры со 180-градусными стенками в монокристаллической пластине многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика, включает этапы, на которых: на противоположные стороны монокристаллической пластины многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика с помощью технологии фотолитографии наносятся твердотельные электроды, причём как минимум один из электродов выполнен в соответствии с заданным рисунком, затем формируют доменную структуру в монокристаллической пластине путем приложения между электродами при воздействии повышенной температуры, коэрцитивного электрического напряжения, при этом после нанесения твердотельных электродов на противоположных сторонах монокристаллической пластины закрепляют фиксирующие пластины. Технический результат обеспечение возможности исключения образования двойников с не-180-градусными стенками в доменной структуре со 180-градусными стенками, сформированной в монокристаллической пластине многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Keywords: PATENT
INVENTION
ПАТЕНТ
ИЗОБРЕТЕНИЕ
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/142447
RSCI ID: 73238207
Patent Type: Patent of Invention
Патент на изобретение
Patent Owner: Ural Federal University
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"
Appears in Collections:Патенты и изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2827310.pdf1,29 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.