Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/142447
Название: | Способ формирования доменной структуры со 180-градусными стенками в монокристаллической пластине многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика |
Другие названия: | Method of Forming Domain Structure With 180-Degree Walls in Monocrystalline Plate of Multiaxial Nonlinear Optical Ferroelectric |
Номер патента: | 2827310 |
Авторы: | Ушаков, А. Д. Шур, В. Я. Ushakov, A. D. Shur, V. Ia. |
Дата публикации: | 2024-09-24 |
Аннотация: | FIELD: ferroelectrics. SUBSTANCE: invention can be used for formation of a domain structure with 180-degree walls in a monocrystalline plate of a multiaxial nonlinear optical ferroelectric. Method of forming a domain structure with 180-degree walls in a monocrystalline plate of a multiaxial nonlinear optical ferroelectric comprises steps of: on opposite sides of a monocrystalline plate of a multiaxial nonlinear-optical ferroelectric material, solid-state electrodes are applied using a photolithography technique, wherein at least one of the electrodes is made in accordance with a given pattern, then forming a domain structure in a monocrystalline plate by applying a coercive electric voltage between the electrodes under the effect of high temperature, note here that after application of solid-state electrodes, fixing plates are fixed on opposite sides of monocrystalline plate. EFFECT: provision of possibility to exclude formation of twins with non-180-degree walls in domain structure with 180-degree walls, formed in a monocrystalline plate of a multiaxial nonlinear optical ferroelectric. 6 cl, 1 dwg. Использование: для формирования доменной структуры со 180-градусными стенками в монокристаллической пластине многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования доменной структуры со 180-градусными стенками в монокристаллической пластине многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика, включает этапы, на которых: на противоположные стороны монокристаллической пластины многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика с помощью технологии фотолитографии наносятся твердотельные электроды, причём как минимум один из электродов выполнен в соответствии с заданным рисунком, затем формируют доменную структуру в монокристаллической пластине путем приложения между электродами при воздействии повышенной температуры, коэрцитивного электрического напряжения, при этом после нанесения твердотельных электродов на противоположных сторонах монокристаллической пластины закрепляют фиксирующие пластины. Технический результат обеспечение возможности исключения образования двойников с не-180-градусными стенками в доменной структуре со 180-градусными стенками, сформированной в монокристаллической пластине многоосного нелинейно-оптического сегнетоэлектрика. 5 з.п. ф-лы, 1 ил. |
Ключевые слова: | PATENT INVENTION ПАТЕНТ ИЗОБРЕТЕНИЕ |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/142447 |
Идентификатор РИНЦ: | 73238207 |
Вид РИД: | Patent of Invention Патент на изобретение |
Патентообладатель: | Ural Federal University Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" |
Располагается в коллекциях: | Патенты и изобретения |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2827310.pdf | 1,29 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.