Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/138693
Название: ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3 МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА – СТОКБАРГЕРА
Другие названия: GROWING SINGLE CRYSTALS OF THE TOPOLOGICAL INSULATOR Bi2Se3 BY THE BRIDGMAN–STOCKBARGER METHOD
Авторы: Степанов, А.
Фоминых, Б. М.
Stepanov, A.
Fominykh, B. M.
Дата публикации: 2024
Издатель: УрФУ
Библиографическое описание: Степанов А. ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3 МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА – СТОКБАРГЕРА / А. Степанов, Б. М. Фоминых. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов XI Международной молодежной научной конференции, посвященной посвященной 75-летию основания Физико-технологического института (Екатеринбург, 20–25 мая 2024 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2024. — C. 218-219.
Аннотация: The paper presents one of the methods of growing a single crystal of a topological insulator Bi2Se3 with a detailed description of the conditions for the preparation of precursors, as well as the selection of temperatures for its cultivation.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/138693
Конференция/семинар: XI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 75-летию основания Физико-технологического института
Дата конференции/семинара: 20.05.2024-25.05.2024
ISBN: 978-5-6049106-9-6
Сведения о поддержке: Работа выполнена в рамках государственного задания МИНОБРНАУКИ России (тема «Спин» (“Spin”) номер госрегистрации АААА-А18-118020290104-2 и поддержана молодежным проектом ИФМ УрО РАН № м 24-23 «Особенности электронных транспортных свойств монокристалла Bi2Se3 после облучения высокоэнергетическими ионами аргона».
Источники: Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2024). — Екатеринбург, 2024
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-6049106-9-6_2024_088.pdf307,73 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.