ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3 МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА – СТОКБАРГЕРА

Степанов, А.; Фоминых, Б. М.; Stepanov, A.; Fominykh, B. M.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/138693

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Степанов, А.	ru
dc.contributor.author	Фоминых, Б. М.	ru
dc.contributor.author	Stepanov, A.	en
dc.contributor.author	Fominykh, B. M.	en
dc.date.accessioned	2024-10-14T11:16:12Z	-
dc.date.available	2024-10-14T11:16:12Z	-
dc.date.issued	2024	-
dc.identifier.citation	Степанов А. ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3 МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА – СТОКБАРГЕРА / А. Степанов, Б. М. Фоминых. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов XI Международной молодежной научной конференции, посвященной посвященной 75-летию основания Физико-технологического института (Екатеринбург, 20–25 мая 2024 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2024. — C. 218-219.	ru
dc.identifier.isbn	978-5-6049106-9-6	-
dc.identifier.uri	http://elar.urfu.ru/handle/10995/138693	-
dc.description.abstract	The paper presents one of the methods of growing a single crystal of a topological insulator Bi2Se3 with a detailed description of the conditions for the preparation of precursors, as well as the selection of temperatures for its cultivation.	en
dc.description.sponsorship	Работа выполнена в рамках государственного задания МИНОБРНАУКИ России (тема «Спин» (“Spin”) номер госрегистрации АААА-А18-118020290104-2 и поддержана молодежным проектом ИФМ УрО РАН № м 24-23 «Особенности электронных транспортных свойств монокристалла Bi2Se3 после облучения высокоэнергетическими ионами аргона».	ru
dc.format.mimetype	application/pdf	en
dc.language.iso	ru	en
dc.publisher	УрФУ	ru
dc.relation.ispartof	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2024). — Екатеринбург, 2024	ru
dc.title	ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3 МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА – СТОКБАРГЕРА	ru
dc.title.alternative	GROWING SINGLE CRYSTALS OF THE TOPOLOGICAL INSULATOR Bi2Se3 BY THE BRIDGMAN–STOCKBARGER METHOD	en
dc.type	Conference Paper	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	en
dc.conference.name	XI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 75-летию основания Физико-технологического института	ru
dc.conference.date	20.05.2024-25.05.2024	-
local.description.firstpage	218
local.description.lastpage	219
Располагается в коллекциях:	Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
978-5-6049106-9-6_2024_088.pdf		307,73 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать базовое описание ресурса Статистика

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.