ТЕРМИЧЕСКИ ИНДУЦИРОВАННОЕ РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В МЕМРИСТИВНОЙ СТРУКТУРЕ ВТОРОГО РОДА НА ОСНОВЕ НАНОТУБУЛЯРНОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ

Петренёв, И. А.; Вохминцев, А. С.; Вайнштейн, И. А.; Petrenyov, I. A.; Vokhmintsev, A. S.; Weinstein, I. A.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elar.urfu.ru/handle/10995/138677

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Петренёв, И. А.	ru
dc.contributor.author	Вохминцев, А. С.	ru
dc.contributor.author	Вайнштейн, И. А.	ru
dc.contributor.author	Petrenyov, I. A.	en
dc.contributor.author	Vokhmintsev, A. S.	en
dc.contributor.author	Weinstein, I. A.	en
dc.date.accessioned	2024-10-14T11:16:10Z	-
dc.date.available	2024-10-14T11:16:10Z	-
dc.date.issued	2024	-
dc.identifier.citation	Петренёв И. А. ТЕРМИЧЕСКИ ИНДУЦИРОВАННОЕ РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В МЕМРИСТИВНОЙ СТРУКТУРЕ ВТОРОГО РОДА НА ОСНОВЕ НАНОТУБУЛЯРНОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ / И. А. Петренёв, А. С. Вохминцев, И. А. Вайнштейн. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов XI Международной молодежной научной конференции, посвященной посвященной 75-летию основания Физико-технологического института (Екатеринбург, 20–25 мая 2024 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2024. — C. 186-187.	ru
dc.identifier.isbn	978-5-6049106-9-6	-
dc.identifier.uri	http://elar.urfu.ru/handle/10995/138677	-
dc.description.abstract	The zirconia-based memristive structure demonstrated the formation and rupture of quantum and ohmic conductive filaments under electrical and thermal impact. Parameters of the insulator layer were derived from conduction mechanism models. Equivalent circuits were proposed for all resistive states.	en
dc.description.sponsorship	Работа выполнена при поддержке научного проекта Минобрнауки РФ FEUZ-2023-0014.	ru
dc.format.mimetype	application/pdf	en
dc.language.iso	ru	en
dc.publisher	УрФУ	ru
dc.relation.ispartof	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2024). — Екатеринбург, 2024	ru
dc.title	ТЕРМИЧЕСКИ ИНДУЦИРОВАННОЕ РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В МЕМРИСТИВНОЙ СТРУКТУРЕ ВТОРОГО РОДА НА ОСНОВЕ НАНОТУБУЛЯРНОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ	ru
dc.title.alternative	THERMALLY INDUCED RESISTIVE SWITCHING IN SECOND-ORDER MEMRISTIVE STRUCTURE BASED ON NANOTUBULAR ZIRCONIA	en
dc.type	Conference Paper	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	en
dc.conference.name	XI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 75-летию основания Физико-технологического института	ru
dc.conference.date	20.05.2024-25.05.2024	-
local.description.firstpage	186
local.description.lastpage	187
local.fund.feuz	FEUZ-2023-0014
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
978-5-6049106-9-6_2024_073.pdf		268,42 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record