Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/138677
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Петренёв, И. А. | ru |
dc.contributor.author | Вохминцев, А. С. | ru |
dc.contributor.author | Вайнштейн, И. А. | ru |
dc.contributor.author | Petrenyov, I. A. | en |
dc.contributor.author | Vokhmintsev, A. S. | en |
dc.contributor.author | Weinstein, I. A. | en |
dc.date.accessioned | 2024-10-14T11:16:10Z | - |
dc.date.available | 2024-10-14T11:16:10Z | - |
dc.date.issued | 2024 | - |
dc.identifier.citation | Петренёв И. А. ТЕРМИЧЕСКИ ИНДУЦИРОВАННОЕ РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В МЕМРИСТИВНОЙ СТРУКТУРЕ ВТОРОГО РОДА НА ОСНОВЕ НАНОТУБУЛЯРНОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ / И. А. Петренёв, А. С. Вохминцев, И. А. Вайнштейн. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов XI Международной молодежной научной конференции, посвященной посвященной 75-летию основания Физико-технологического института (Екатеринбург, 20–25 мая 2024 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2024. — C. 186-187. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-5-6049106-9-6 | - |
dc.identifier.uri | http://elar.urfu.ru/handle/10995/138677 | - |
dc.description.abstract | The zirconia-based memristive structure demonstrated the formation and rupture of quantum and ohmic conductive filaments under electrical and thermal impact. Parameters of the insulator layer were derived from conduction mechanism models. Equivalent circuits were proposed for all resistive states. | en |
dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке научного проекта Минобрнауки РФ FEUZ-2023-0014. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | УрФУ | ru |
dc.relation.ispartof | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2024). — Екатеринбург, 2024 | ru |
dc.title | ТЕРМИЧЕСКИ ИНДУЦИРОВАННОЕ РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В МЕМРИСТИВНОЙ СТРУКТУРЕ ВТОРОГО РОДА НА ОСНОВЕ НАНОТУБУЛЯРНОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ | ru |
dc.title.alternative | THERMALLY INDUCED RESISTIVE SWITCHING IN SECOND-ORDER MEMRISTIVE STRUCTURE BASED ON NANOTUBULAR ZIRCONIA | en |
dc.type | Conference Paper | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.conference.name | XI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 75-летию основания Физико-технологического института | ru |
dc.conference.date | 20.05.2024-25.05.2024 | - |
local.description.firstpage | 186 | |
local.description.lastpage | 187 | |
local.fund.feuz | FEUZ-2023-0014 | |
Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
978-5-6049106-9-6_2024_073.pdf | 268,42 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.