ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ АРГОНА НА ЭЛЕКТРО- И МАГНИТОТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3

Фоминых, Б. М.; Перевалова, А. Н.; Степанов, А. Е.; Наумов, С. В.; Шаломов, К. В.; Гущина, Н. В.; Марченков, В. В.; Fominykh, B. M.; Perevalova, A. N.; Stepanov, A. E.; Naumov, S. V.; Shalomov, K. V.; Gushchina, N. V.; Marchenkov, V. V.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/138617

Название:	ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ АРГОНА НА ЭЛЕКТРО- И МАГНИТОТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3
Другие названия:	EFFECT OF ARGON ION IRRADIATION ON ELECTRO- AND MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES OF TOPOLOGICAL INSULATOR Bi2Se3
Авторы:	Фоминых, Б. М. Перевалова, А. Н. Степанов, А. Е. Наумов, С. В. Шаломов, К. В. Гущина, Н. В. Марченков, В. В. Fominykh, B. M. Perevalova, A. N. Stepanov, A. E. Naumov, S. V. Shalomov, K. V. Gushchina, N. V. Marchenkov, V. V.
Дата публикации:	2024
Издатель:	УрФУ
Библиографическое описание:	ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ АРГОНА НА ЭЛЕКТРО- И МАГНИТОТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3 / Б. М. Фоминых, А. Н. Перевалова, А. Е. Степанов, С. В. Наумов, К. В. Шаломов, Н. В. Гущина, В. В. Марченков. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов XI Международной молодежной научной конференции, посвященной посвященной 75-летию основания Физико-технологического института (Екатеринбург, 20–25 мая 2024 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2024. — C. 105-107.
Аннотация:	In this work, a single crystal of the topological insulator Bi2Se3 was synthesized. The samples were irradiated with argon ions and their electro- and magnetotransport properties were measured.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/138617
Конференция/семинар:	XI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 75-летию основания Физико-технологического института
Дата конференции/семинара:	20.05.2024-25.05.2024
ISBN:	978-5-6049106-9-6
Сведения о поддержке:	Работа выполнена в рамках государственного задания МИНОБРНАУКИ РФ (тема «Спин», № 122021000036-3) и программы «Приоритет-2030» при частичной поддержке молодежного гранта ИФМ № м 24-23 «Особенности электронных транспортных свойств монокристалла Bi2Se3 после облучения высокоэнергетическими ионами аргона».
Источники:	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2024). — Екатеринбург, 2024
Располагается в коллекциях:	Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
978-5-6049106-9-6_2024_033.pdf		328,26 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать полное описание ресурса Статистика Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.