ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ АРГОНА НА ЭЛЕКТРО- И МАГНИТОТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3

Фоминых, Б. М.; Перевалова, А. Н.; Степанов, А. Е.; Наумов, С. В.; Шаломов, К. В.; Гущина, Н. В.; Марченков, В. В.; Fominykh, B. M.; Perevalova, A. N.; Stepanov, A. E.; Naumov, S. V.; Shalomov, K. V.; Gushchina, N. V.; Marchenkov, V. V.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/138617

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Фоминых, Б. М.	ru
dc.contributor.author	Перевалова, А. Н.	ru
dc.contributor.author	Степанов, А. Е.	ru
dc.contributor.author	Наумов, С. В.	ru
dc.contributor.author	Шаломов, К. В.	ru
dc.contributor.author	Гущина, Н. В.	ru
dc.contributor.author	Марченков, В. В.	ru
dc.contributor.author	Fominykh, B. M.	en
dc.contributor.author	Perevalova, A. N.	en
dc.contributor.author	Stepanov, A. E.	en
dc.contributor.author	Naumov, S. V.	en
dc.contributor.author	Shalomov, K. V.	en
dc.contributor.author	Gushchina, N. V.	en
dc.contributor.author	Marchenkov, V. V.	en
dc.date.accessioned	2024-10-14T11:16:03Z	-
dc.date.available	2024-10-14T11:16:03Z	-
dc.date.issued	2024
dc.identifier.citation	ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ АРГОНА НА ЭЛЕКТРО- И МАГНИТОТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3 / Б. М. Фоминых, А. Н. Перевалова, А. Е. Степанов, С. В. Наумов, К. В. Шаломов, Н. В. Гущина, В. В. Марченков. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов XI Международной молодежной научной конференции, посвященной посвященной 75-летию основания Физико-технологического института (Екатеринбург, 20–25 мая 2024 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2024. — C. 105-107.	ru
dc.identifier.isbn	978-5-6049106-9-6
dc.identifier.uri	http://elar.urfu.ru/handle/10995/138617	-
dc.description.abstract	In this work, a single crystal of the topological insulator Bi2Se3 was synthesized. The samples were irradiated with argon ions and their electro- and magnetotransport properties were measured.	en
dc.description.sponsorship	Работа выполнена в рамках государственного задания МИНОБРНАУКИ РФ (тема «Спин», № 122021000036-3) и программы «Приоритет-2030» при частичной поддержке молодежного гранта ИФМ № м 24-23 «Особенности электронных транспортных свойств монокристалла Bi2Se3 после облучения высокоэнергетическими ионами аргона».	ru
dc.format.mimetype	application/pdf	en
dc.language.iso	ru	en
dc.publisher	УрФУ	ru
dc.relation.ispartof	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2024). — Екатеринбург, 2024	ru
dc.title	ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ АРГОНА НА ЭЛЕКТРО- И МАГНИТОТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Bi2Se3	ru
dc.title.alternative	EFFECT OF ARGON ION IRRADIATION ON ELECTRO- AND MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES OF TOPOLOGICAL INSULATOR Bi2Se3	en
dc.type	Conference Paper	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	en
dc.conference.name	XI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 75-летию основания Физико-технологического института	ru
dc.conference.date	20.05.2024-25.05.2024
local.description.firstpage	105
local.description.lastpage	107
Располагается в коллекциях:	Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
978-5-6049106-9-6_2024_033.pdf		328,26 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать базовое описание ресурса Статистика Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.