Программа для моделирования движения доменной стенки на полярной поверхности одноосного сегнетоэлектрика

Abstract

Программа численным методом рассчитывает изменение формы плоской доменной стенки с изолированными выступами, движущейся при приложении однородного внешнего электрического поля в условиях неполного экранирования деполяризующего поля. Растущий домен рассматривается как массив заряженных отрезков, скорость удлинения которых определяется величиной локального электрического поля. Входные параметры: количество и величина выступов на стенке, плотность поверхностного заряда, глубина расчёта поля, пороговое значение поля переключения, подвижность доменной стенки, временной шаг расчёта и размеры расчётной области. Исследование эволюции формы доменной стенки может быть использовано в доменной инженерии. Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег.№ 2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).