Анализ возможностей использования моделированных характеристик транзистора при разработке усилителя

Abstract

Описан метод сравнения модели транзистора с его справочными характеристиками для выявления несоответствия параметров с реальным. Исследованы выходные вольтамперные характеристики отечественного высокочастотного маломощного транзистора КТ368А, проведена его проверка в схеме разработанного усилителя, проведены измерения и сравнение АЧХ. Показано, что характеристики модели транзистора не соответствуют справочным, изза чего АЧХ имеют отличия. В частности, значения тока коллектора и сопротивления базы отличаются в 23 раза по сравнению с расчетами, проведенными по техническим параметрам. Коэффициент усиления по напряжению и полоса пропускания отличаются от собранного усилителя в 3 и 1.2 раза соответственно.

A method is described for comparing the transistor model with its reference characteristics to identify the discrepancy between the parameters and the real one. The output voltampere characteristics of the domestic highfrequency lowpower transistor KT368A were investigated, its verification was carried out in the circuit of the developed amplifier, measurements and comparison of frequency response were carried out. It is shown that the characteristics of the transistor model do not correspond to the reference ones, which is why the frequency response has differences. In particular, the values of the collector current and the base resistance differ by 23 times compared to calculations carried out according to technical parameters. The voltage gain and bandwidth differ from the assembled amplifier by 3 and 1.2 times, respectively.