Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/127160
Title: | Электролитический способ получения наноразмерных осадков кремния в расплавленных солях |
Other Titles: | Electrolytic Method for Obtaining Nanoscale Silicon Deposits in Molten Salts |
Patent Number: | 2770846 |
Authors: | Гевел, Т. А. Трофимов, А. А. Суздальцев, А. В. Зайков, Ю. П. Gevel, T. A. Trofimov, A. A. Suzdaltsev, A. V. Zaikov, Iu. P. |
Issue Date: | 2022-04-22 |
Abstract: | Изобретение относится к получению наноразмерных упорядоченных частиц кремния при электролизе расплавленных солей, который может быть использован для изготовления анодов на основе кремния при создании новых безопасных литий-ионных аккумуляторов с улучшенными энергетическими характеристиками. Способ включает электролиз расплава KCl с кремнийсодержащей добавкой K<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub> при температуре 790-800°C. При электролизе в расплав KCl-K<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub> добавляют SiO<sub>2</sub> в количестве не более 0,5 мас.%, а электролиз ведут с использованием углеродного противоэлектрода. Способ позволяет получить кремний управляемой морфологии в виде наноразмерных трубок и игл при снижении энергозатрат, сохранении пониженной химической агрессивности расплавленного электролита, высокой чистоты получаемого кремния, а также срока эксплуатации конструкционных материалов и реактора для осуществления способа. 2 ил. FIELD: metallurgy. SUBSTANCE: invention relates to the production of nanosized ordered silicon particles by electrolysis of molten salts, which can be used to produce silicon-based anodes when creating new safe lithium-ion batteries with improved energy characteristics. The method includes electrolysis of a KCl melt with a silicon-containing additive K<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub> at a temperature of 790-800°C. During electrolysis, SiO<sub>2</sub> is added to the KCl- K<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub> melt in an amount of not more than 0.5 wt.%, and the electrolysis is carried out using a carbon counter electrode. EFFECT: method allows to obtain silicon of controlled morphology in the form of nanosized tubes and needles while reducing energy consumption, maintaining a reduced chemical aggressiveness of the molten electrolyte, high purity of the silicon obtained, as well as the service life of structural materials and the reactor for implementing the method. 1 cl, 2 dwg. |
Keywords: | PATENT INVENTION ПАТЕНТЫ ИЗОБРЕТЕНИЯ |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/127160 |
RSCI ID: | 48380624 |
PURE ID: | 45806449 |
Patent Type: | Патент на изобретение |
Patent Owner: | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина» Ural Federal University |
Appears in Collections: | Патенты и изобретения |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
2770846.PDF | 2,04 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.