Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125316
Название: Эффект обменного смещения в плёнках типа FeMn/FeNi: эксперимент и микромагнитное моделирование
Другие названия: Exchange Bias Effect in FeMn/FeNi films: Experiment and Micromagnetic Simulation
Авторы: Bykova, A. A.
Gorkovenko, A. N.
Kulesh, N. A.
Vas”kovski, V. O.
Быкова, А. А.
Горьковенко, А. Н.
Кулеш, Н. А.
Васьковский, В. О.
Дата публикации: 2022
Издатель: УрФУ
Библиографическое описание: Эффект обменного смещения в плёнках типа FeMn/FeNi: эксперимент и микромагнитное моделирование / А. А. Быкова, А. Н. Горьковенко, Н. А. Кулеш, В. О. Васьковский. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2022 : тезисы докладов IX Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина, Екатеринбург, 16-20 мая 2022 г. — Екатеринбург: УрФУ, 2022. — С. 153-155. — URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125316.
Аннотация: Temperature dependencies of exchange bias field in FeNi/FeMn(L)/FeNi films with different thicknesses (L) of antiferromagnetic FeMn layers are investigated in two variants fields, namely «positive» field, and «negative» field. Our results show exchange bias effect depends on the cooling field. Exper.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125316
Конференция/семинар: IX Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина
ФТИ-2022
Дата конференции/семинара: 16.05.2022-20.05.2022
Сведения о поддержке: Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, тема № FEUZ-2020-0051.
Источники: Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2022). — Екатеринбург, 2022
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2022_9_049.pdf325,95 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.