Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125239
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorBatsanov, S. A.en
dc.contributor.authorVdovin, V. I.en
dc.contributor.authorGutakovskii, A. K.en
dc.contributor.authorZamchii, A. O.en
dc.contributor.authorBaranov, E. A.en
dc.contributor.authorБацанов, С. А.ru
dc.contributor.authorВдовин, В. И.ru
dc.contributor.authorГутаковский, А. К.ru
dc.contributor.authorЗамчий, А. О.ru
dc.contributor.authorБаранов, Е. Аru
dc.date.accessioned2023-08-31T10:01:50Z-
dc.date.available2023-08-31T10:01:50Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationИсследования механизмов металл-индуцированной кристаллизации субоксида кремния с помощью просвечивающей электронной микроскопии / С. А. Бацанов, В. И. Вдовин, А. К. Гутаковский, А. О. Замчий, Е. А. Баранов. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2022 : тезисы докладов IX Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина, Екатеринбург, 16-20 мая 2022 г. — Екатеринбург: УрФУ, 2022. — С. 139-140. — URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125239.ru
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/125239-
dc.description.abstractHigh-resolution transmission electron microscopy was used to study system: substrate/Al (or Au) film/a-SiOx (x = 1.8 for Al and 0.3 for Au) film before and after annealing. The polycrystalline silicon formation mechanisms based on metal-induced crystallization using these two metals are proposed.en
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке РНФ (грант № 19-79-10143) с использованием оборудования ЦКП «Наноструктуры».ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoru-
dc.publisherУрФУru
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/RSF//19-79-10143en
dc.relation.ispartofФизика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2022). — Екатеринбург, 2022ru
dc.titleИсследования механизмов металл-индуцированной кристаллизации субоксида кремния с помощью просвечивающей электронной микроскопииru
dc.title.alternativeSilicon Suboxide Metal-Induced Crystallization Mechanisms Studies by Transmission Electron Microscopyen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/submittedVersionen
dc.conference.nameIX Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопинаru
dc.conference.nameФТИ-2022ru
dc.conference.date16.05.2022-20.05.2022-
local.description.firstpage139-
local.description.lastpage140-
local.fund.rsf19-79-10143-
local.contributorБацанов, С. А.ru
local.contributorВдовин, В. И.ru
local.contributorГутаковский, А. К.ru
local.contributorЗамчий, А. О.ru
local.contributorБаранов, Е. Аru
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2022_9_042.pdf308,55 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.