ISSN: 2310-757X
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/125156| Title: | Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электронные свойства кристаллов In2Se3 |
| Other Titles: | Influence of Irradiation Semiconductors of In2Se3 И Cu2SnS3 BY 10 MeV Electrons on Electronic Structure and Optical Properties |
| Authors: | Lobanov, A. D. Sulimov, M. A. Sarychev, M. N. Korkh, Yu. V. Ivanov, V. Yu. Kuznetsova, T. V. Bondar, I. V. Лобанов, A. Д. Сулимов, М. А. Сарычев, М. Н. Корх, Ю. В. Иванов, В. Ю. Кузнецова, Т. В. Бондарь, И. В. |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | УрФУ |
| Citation: | Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электронные свойства кристаллов In2Se3 / A. Д. Лобанов, М. А. Сулимов, М. Н. Сарычев, Ю. В. Корх, В. Ю. Иванов, Т. В. Кузнецова, И. В. Бондарь. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2022 : тезисы докладов IX Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина, Екатеринбург, 16-20 мая 2022 г. — Екатеринбург: УрФУ, 2022. — С. 753-754. — URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125156. |
| Abstract: | Single crystals In2Se3 и Cu2SnS3 were studied by photoluminescence spectroscopy, Kelvin’s probe, current spectroscopy before and after irradiation with 10 MeV electrons with fluences 1013-1017 см-2. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/125156 |
| Conference name: | IX Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина ФТИ-2022 |
| Conference date: | 16.05.2022-20.05.2022 |
| Origin: | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2022). — Екатеринбург, 2022 |
| Appears in Collections: | Конференции, семинары |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| fti_2022_9_345.pdf | 185,46 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.