ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ИСТОЧНИКОВ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ КМОП МИКРОСХЕМ

Калашников, В. Д.; Теплякова, А. О.; Егоров, А. Ю.; Уланова, А. В.; Чепов, В. А.; Kalashnikov, V. D.; Teplyakova, A. O.; Egorov, A. Y.; Ulanova, A. V.; Chepov, V. A.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/123730

Title:	ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ИСТОЧНИКОВ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ КМОП МИКРОСХЕМ
Other Titles:	FEATURES OF CMOS MICROCIRCUITS X-RAY IRRADIATION TESTING
Authors:	Калашников, В. Д. Теплякова, А. О. Егоров, А. Ю. Уланова, А. В. Чепов, В. А. Kalashnikov, V. D. Teplyakova, A. O. Egorov, A. Y. Ulanova, A. V. Chepov, V. A.
Issue Date:	2021
Publisher:	УрФУ
Citation:	ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ИСТОЧНИКОВ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ КМОП МИКРОСХЕМ / В. Д. Калашников, А. О. Теплякова, А. Ю. Егоров, А. В. Уланова, В. А. Чепов // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VIII Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 17–21 мая 2021 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2021. — C. 229-231.
Abstract:	The paper substantiates the possibility of X-ray sources usage in radiation-hardness tests of microcircuits with 180 nm design or less. The tests were conducted using an electron ac-celerator in bremsstrahlung mode and an X-ray unit. The comparison results and key features are presented.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/123730
Conference name:	VIII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Conference date:	17.05.2021-21.05.2021
ISBN:	978-5-8295-0769-5
Sponsorship:	Авторы выражают благодарность Смолину А.С. и Демидову А.А. из АО «ЭНПО СПЭЛС» за полезные обсуждения и рекомендации при подготовке материала.
Origin:	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2021)
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
978-5-8295-0769-5_2021_100.pdf		305,84 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record