ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/123730| Название: | ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ИСТОЧНИКОВ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ КМОП МИКРОСХЕМ |
| Другие названия: | FEATURES OF CMOS MICROCIRCUITS X-RAY IRRADIATION TESTING |
| Авторы: | Калашников, В. Д. Теплякова, А. О. Егоров, А. Ю. Уланова, А. В. Чепов, В. А. Kalashnikov, V. D. Teplyakova, A. O. Egorov, A. Y. Ulanova, A. V. Chepov, V. A. |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | УрФУ |
| Библиографическое описание: | ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ИСТОЧНИКОВ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ КМОП МИКРОСХЕМ / В. Д. Калашников, А. О. Теплякова, А. Ю. Егоров, А. В. Уланова, В. А. Чепов // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VIII Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 17–21 мая 2021 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2021. — C. 229-231. |
| Аннотация: | The paper substantiates the possibility of X-ray sources usage in radiation-hardness tests of microcircuits with 180 nm design or less. The tests were conducted using an electron ac-celerator in bremsstrahlung mode and an X-ray unit. The comparison results and key features are presented. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/123730 |
| Конференция/семинар: | VIII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» |
| Дата конференции/семинара: | 17.05.2021-21.05.2021 |
| ISBN: | 978-5-8295-0769-5 |
| Сведения о поддержке: | Авторы выражают благодарность Смолину А.С. и Демидову А.А. из АО «ЭНПО СПЭЛС» за полезные обсуждения и рекомендации при подготовке материала. |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2021) |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 978-5-8295-0769-5_2021_100.pdf | 305,84 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.