Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Боголюбский, А. С.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/118990

Title:	Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
Authors:	Боголюбский, А. С.
metadata.dc.contributor.advisor:	Гудина, С. В.
Issue Date:	2022
Publisher:	б. и.
Citation:	Боголюбский А. С. Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 / А. С. Боголюбский ; [Место защиты: Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина]. — Екатеринбург, 2022. — 25 с. — Библиогр.: с. 22-25 (40 назв.).
Keywords:	АВТОРЕФЕРАТЫ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА КВАНТОВЫЕ СТРУКТУРЫ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ
OKSVNK:	1.3.11
Thesis discipline:	Физика полупроводников
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/118990
Access:	Предоставлено автором на условиях простой неисключительной лицензии
License text:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/31613
Appears in Collections:	Авторефераты и диссертации

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
urfu2425.pdf		1,98 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record