ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/118990| Название: | Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 |
| Авторы: | Боголюбский, А. С. |
| Научный руководитель: | Гудина, С. В. |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | б. и. |
| Библиографическое описание: | Боголюбский А. С. Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 / А. С. Боголюбский ; [Место защиты: Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина]. — Екатеринбург, 2022. — 25 с. — Библиогр.: с. 22-25 (40 назв.). |
| Ключевые слова: | АВТОРЕФЕРАТЫ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА КВАНТОВЫЕ СТРУКТУРЫ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ |
| Код специальности ВАК: | 1.3.11 |
| Специальность: | Физика полупроводников |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/118990 |
| Условия доступа: | Предоставлено автором на условиях простой неисключительной лицензии |
| Текст лицензии: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/31613 |
| Располагается в коллекциях: | Авторефераты и диссертации |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| urfu2425.pdf | 1,98 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.