ISSN: 2310-757X
Статистика
Посещений всего
| Посещения | |
|---|---|
| СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДОПИРОВАННОГО La4Sc2Zn2О11 | 85 |
Посещений по месяцам
| октября 2024 | ноября 2024 | декабря 2024 | января 2025 | февраля 2025 | марта 2025 | апреля 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДОПИРОВАННОГО La4Sc2Zn2О11 | 0 | 3 | 2 | 2 | 1 | 3 | 4 |
Загрузок
| Посещения | |
|---|---|
| 978-5-7996-3113-0_284.pdf | 58 |
Посещений по странам
| Посещения | |
|---|---|
| Россия | 29 |
| Соединенные Штаты | 29 |
| Германия | 4 |
| Франция | 4 |
| Вьетнам | 3 |
| Армения | 2 |
| Бразилия | 2 |
| Сингапур | 2 |
| Бельгия | 1 |
| Китай | 1 |
Посещений по городам
| Посещения | |
|---|---|
| Moscow | 14 |
| Yekaterinburg | 9 |
| Hanoi | 3 |
| Singapore | 2 |
| Verkhnyaya Tura | 2 |
| Arujá | 1 |
| Frankfurt am Main | 1 |
| Jiaozuo | 1 |
| Petrolina | 1 |
| Quito | 1 |