Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/112148
Название: A Simple Way to Control the Filling Degree of the SiO2/Si Template Pores With Nickel
Авторы: Yakimchuk, D.
Bundyukova, V.
Borgekov, D.
Zdorovets, M.
Kozlovskiy, A.
Khubezhov, S. A.
Magkoev, T. T.
Bliev, A. P.
Belonogov, E.
Demyanov, S.
Kaniukov, E.
Дата публикации: 2018
Издатель: Elsevier Ltd
Elsevier BV
Библиографическое описание: A Simple Way to Control the Filling Degree of the SiO2/Si Template Pores With Nickel / D. Yakimchuk, V. Bundyukova, D. Borgekov et al. // Materials Today: Proceedings. — 2018. — Vol. 7. — P. 860-865.
Аннотация: The paper demonstrates a simple way to control the filling degree of the pores of a silicon oxide template on silicon substrate with nickel. SiO2/Si template was formed using the swift heavy ion tracks technology, which includes irradiation with high energy ions and chemical transformation of the obtained latent tracks into the pores. The preparation of SiO2(Ni)/Si nanostructures with different filling degree of pores in SiO2 with nickel was performed using the electrodeposition method by changing the duration of the process. A study and analysis of the morphology of SiO2(Ni)/Si nanostructures using scanning electron and atomic force microscopy was carried out to determine the nature of pore filling by metal. © 2019 Elsevier Ltd.
Ключевые слова: ELECTRODEPOSITION
ION-TRACK TECHNOLOGY
NICKEL NANOSTRUCTURES
SIO2/SI TEMPLATE
TEMPLATE SYNTHESIS
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/112148
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
Конференция/семинар: 2017 Functional Integrated nano Systems, nanoFIS 2017
Дата конференции/семинара: 22 November 2017 through 24 November 2017
Идентификатор SCOPUS: 85079704788
Идентификатор PURE: 9191968
ISSN: 2214-7853
DOI: 10.1016/j.matpr.2018.12.085
Сведения о поддержке: The authors acknowledge the support of the work in frames of H2020 - MSCA - RISE2017 - 778308 - SPINMULTIFILM Project and the Scientific-technical program ‘Technology-SG’ [project number 3.1.5.1].
Карточка проекта CORDIS: H2020: 778308
Располагается в коллекциях:Научные публикации, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-85079704788.pdf1,97 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.