Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/111449
Название: True Charge-Transfer Gap in Parent Insulating Cuprates
Авторы: Moskvin, A. S.
Дата публикации: 2011
Издатель: American Physical Society (APS)
Библиографическое описание: Moskvin A. S. True Charge-Transfer Gap in Parent Insulating Cuprates / A. S. Moskvin // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2011. — Vol. 84. — Iss. 7. — 075116.
Аннотация: A large body of experimental data points toward a charge-transfer (CT) instability of parent insulating cuprates to be their unique property. It is argued that the true CT gap in these compounds is as small as 0.4-0.5 eV rather than 1.5-2.0 eV as usually derived from the optical gap measurements. In fact we deal with a competition of the conventional (3d9) ground state and a CT state with the formation of electron-hole dimers which evolves under doping to an unconventional bosonic system. My conjecture does provide an unified standpoint on the main experimental findings for parent cuprates including linear and nonlinear optical, Raman, photoemission, photoabsorption, and transport properties related with the CT excitations. In addition I suggest a scenario for the evolution of the CuO2 planes in the CT unstable cuprates under nonisovalent doping. © 2011 American Physical Society.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/111449
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
Идентификатор SCOPUS: 80052396215
Идентификатор WOS: 000293618900003
Идентификатор PURE: 8315502
ISSN: 1098-0121
Сведения о поддержке: RFBR Grant No. 10-02-96032 is acknowledged for financial support.
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-80052396215.pdf597,42 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.