Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/111319
Название: Ultra-Fast Relaxation of Electrons in Wide-Gap Dielectrics
Авторы: Fitting, H. -J.
Kortov, V. S.
Petite, G.
Дата публикации: 2007
Издатель: Elsevier BV
Библиографическое описание: Fitting H. -J. Ultra-Fast Relaxation of Electrons in Wide-Gap Dielectrics / H. -J. Fitting, V. S. Kortov, G. Petite. — DOI 10.3390/toxics10020069 // Journal of Luminescence. — 2007. — Vol. 122-123. — Iss. 1-2. — P. 542-545.
Аннотация: Low-energy electrons scattered in the conduction band of a dielectric solid should behave like Bloch electrons and will interact with perturbations of the atomic lattice, i.e. with phonons. Thus the phonon-based description of low-energy scattering within an energy band structure of a solid bears certain advantages against common free-electron scattering mechanisms. Moreover, the inelastic scattering is described by the dielectric energy loss function. With these collective scattering models we have performed the simulation of excited electron relaxation and attenuation in the insulator SiO2. After excitation to a mean initial energy of several eV their energy relaxation occurs within a short time interval of 200 fs to full thermalization. There is a very rapid impact ionization cooling connected with cascading of electrons at the beginning during the first 10 fs, followed by much slower attenuation due to phonon losses in wide-gap dielectrics and insulators. © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
Ключевые слова: CASCADING
ELECTRON ATTENUATION
ELECTRON IMPACT IONIZATION
ELECTRON-PHONON INTERACTION
THERMALIZATION
BAND STRUCTURE
DIELECTRIC MATERIALS
ELECTRON SCATTERING
ENERGY DISSIPATION
PHONONS
RELAXATION PROCESSES
ULTRAFAST PHENOMENA
ELECTRONS
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/111319
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
Идентификатор SCOPUS: 33750935845
Идентификатор PURE: 30270528
ISSN: 0022-2313
DOI: 10.3390/toxics10020069
Сведения о поддержке: We are grateful to the support by the INTAS project 01-0458 “Fast electronic processes in dielectrics”.
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-33750935845.pdf397,51 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.