Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/110166
Название: Электросопротивление и гальваномагнитные свойства тонких пленок Bi2Se3
Другие названия: ELECTRICAL RESISTIVITY AND GALVANOMAGNETIC PROPERTIES OF Bi2Se3 THIN FILMS
Авторы: Доможирова, А. Н.
Чистяков, В. В.
Huang, J. C. A.
Марченков, В. В.
Domozhirova, A. N.
Chistyakov, V. V.
Huang, J. C. A.
Marchenkov, V. V.
Дата публикации: 2018
Издатель: Уральский федеральный университет
Библиографическое описание: Электросопротивление и гальваномагнитные свойства тонких пленок Bi2Se3 / А. Н. Доможирова, В. В. Чистяков, J. C. A. Huang, В. В. Марченков // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов V Международной молодежной научной конференции, посвященной памяти Почетного профессора УрФУ В. С. Кортова (Екатеринбург, 14–18 мая 2018 г.) : Секция 1. Физика конденсированного состояния. — Екатеринбург : [УрФУ], 2018. — C. 140-141.
Аннотация: The electrical resistivity and galvanomagnetic properties for the thin films of topological insulator 2 3 Bi Se with thicknesses from 10 to 75 nm were measured in the temperature range from 4.2 to 300 K and in magnetic fields up to 10 T.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/110166
Конференция/семинар: V Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2018)», посвященная памяти Почетного профессора УрФУ В. С. Кортова
Дата конференции/семинара: 14.05.2018-18.05.2018
Сведения о поддержке: Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема «Спин», № 01201463330) при частичной поддержке РФФИ (проект № 17-52-52008), Правительства Российской Федерации (постановление № 211, контракт № 02.A03.21.0006) и гранта № 14.Z50.31.0025 Министерства образования и науки РФ.
Источники: Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2018)
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2018_1_082.pdf451,82 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.