Электросопротивление и гальваномагнитные свойства тонких пленок Bi2Se3

Доможирова, А. Н.; Чистяков, В. В.; Huang, J. C. A.; Марченков, В. В.; Domozhirova, A. N.; Chistyakov, V. V.; Huang, J. C. A.; Marchenkov, V. V.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/110166

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Доможирова, А. Н.	ru
dc.contributor.author	Чистяков, В. В.	ru
dc.contributor.author	Huang, J. C. A.	ru
dc.contributor.author	Марченков, В. В.	ru
dc.contributor.author	Domozhirova, A. N.	en
dc.contributor.author	Chistyakov, V. V.	en
dc.contributor.author	Huang, J. C. A.	en
dc.contributor.author	Marchenkov, V. V.	en
dc.date.accessioned	2022-04-06T10:51:22Z	-
dc.date.available	2022-04-06T10:51:22Z	-
dc.date.issued	2018	-
dc.identifier.citation	Электросопротивление и гальваномагнитные свойства тонких пленок Bi2Se3 / А. Н. Доможирова, В. В. Чистяков, J. C. A. Huang, В. В. Марченков // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов V Международной молодежной научной конференции, посвященной памяти Почетного профессора УрФУ В. С. Кортова (Екатеринбург, 14–18 мая 2018 г.) : Секция 1. Физика конденсированного состояния. — Екатеринбург : [УрФУ], 2018. — C. 140-141.	ru
dc.identifier.uri	http://elar.urfu.ru/handle/10995/110166	-
dc.description.abstract	The electrical resistivity and galvanomagnetic properties for the thin films of topological insulator 2 3 Bi Se with thicknesses from 10 to 75 nm were measured in the temperature range from 4.2 to 300 K and in magnetic fields up to 10 T.	en
dc.description.sponsorship	Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема «Спин», № 01201463330) при частичной поддержке РФФИ (проект № 17-52-52008), Правительства Российской Федерации (постановление № 211, контракт № 02.A03.21.0006) и гранта № 14.Z50.31.0025 Министерства образования и науки РФ.	ru
dc.format.mimetype	application/pdf	en
dc.language.iso	ru	en
dc.publisher	Уральский федеральный университет	ru
dc.relation.ispartof	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2018)	ru
dc.title	Электросопротивление и гальваномагнитные свойства тонких пленок Bi2Se3	ru
dc.title.alternative	ELECTRICAL RESISTIVITY AND GALVANOMAGNETIC PROPERTIES OF Bi2Se3 THIN FILMS	en
dc.type	Conference Paper	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	en
dc.conference.name	V Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2018)», посвященная памяти Почетного профессора УрФУ В. С. Кортова	ru
dc.conference.date	14.05.2018-18.05.2018	-
local.description.firstpage	140	-
local.description.lastpage	141	-
local.fund.rffi	17-52-52008	-
Располагается в коллекциях:	Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
fti_2018_1_082.pdf		451,82 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать базовое описание ресурса Статистика

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.