Особенности экзолектронной эмиссии в монокристаллах нитрида алюминия

Чайкин, Д. В.; Слесарев, А. И.; Вохминцев, А. С.; Вайнштейн, И. А.; Chaikin, D. V.; Slesarev, A. I.; Vokhmintsev, A. S.; Weinstein, I. A.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/107576

Title:	Особенности экзолектронной эмиссии в монокристаллах нитрида алюминия
Other Titles:	FEATURES OF EXOELECTRON EMISSION IN ALN SINGLE CRYSTALS
Authors:	Чайкин, Д. В. Слесарев, А. И. Вохминцев, А. С. Вайнштейн, И. А. Chaikin, D. V. Slesarev, A. I. Vokhmintsev, A. S. Weinstein, I. A.
Issue Date:	2017
Publisher:	УрФУ
Citation:	Особенности экзолектронной эмиссии в монокристаллах нитрида алюминия / Д. В. Чайкин, А. И. Слесарев, А. С. Вохминцев, И. А. Вайнштейн // Физика. Технологии. Инновации (Секция 1) : тезисы докладов IV Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 15–19 мая 2017 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2017. — C. 29-30.
Abstract:	The processes of photo- (PSEE) and thermally stimulated exoelectron emission (TSEE) in bulk AlN single crystals were preliminary investigated. It was shown that there is a monotonic growth of PSEE current under photostimulation energy > 4.75 eV. It was observed that TSEE peaks in electrons irradiated sample shifted to the low temperature region by 30 K as compared to the irradiation by photons. The electron origin of shallow traps active in AlN single crystals was manifested.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/107576
Conference name:	IV Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Conference date:	15.05.2017-19.05.2017
metadata.dc.description.sponsorship:	Работа выполнена при поддержке стипендии Президента РФ (СП-3437.2015.1).
Origin:	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2017). — Екатеринбург, 2017
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
fti_2017_013.pdf		445,54 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar