Эволюция края фундаментального поглощения кварцевых стекол при имплантации ионами рения

Тарасюк, В. О.; Бирюков, Д. Ю.; Зацепин, А. Ф.; Tarasyuk, V. O.; Biryukov, D. Yu.; Zatsepin, A. F.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/107546

Title:	Эволюция края фундаментального поглощения кварцевых стекол при имплантации ионами рения
Other Titles:	EVOLUTION OF THE EDGE OF FUNDAMENTAL ABSORPTION OF QUARTZ GLASS DURING IMPLANTATION WITH RHENIUM IONS
Authors:	Тарасюк, В. О. Бирюков, Д. Ю. Зацепин, А. Ф. Tarasyuk, V. O. Biryukov, D. Yu. Zatsepin, A. F.
Issue Date:	2017
Publisher:	УрФУ
Citation:	Тарасюк В. О. Эволюция края фундаментального поглощения кварцевых стекол при имплантации ионами рения / В. О. Тарасюк, Д. Ю. Бирюков, А. Ф. Зацепин // Физика. Технологии. Инновации (Секция 1) : тезисы докладов IV Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 15–19 мая 2017 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2017. — C. 167-168.
Abstract:	It is established that ion implantation causes the growth of structural disordering of the SiO2 matrix and the fluence of Re+ ions is equivalent to some Urbach temperature of disordering.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/107546
Conference name:	IV Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Conference date:	15.05.2017-19.05.2017
Origin:	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2017). — Екатеринбург, 2017
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
fti_2017_102.pdf		418,78 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar