Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/107546
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТарасюк, В. О.ru
dc.contributor.authorБирюков, Д. Ю.ru
dc.contributor.authorЗацепин, А. Ф.ru
dc.contributor.authorTarasyuk, V. O.en
dc.contributor.authorBiryukov, D. Yu.en
dc.contributor.authorZatsepin, A. F.en
dc.date.accessioned2022-01-26T10:44:30Z-
dc.date.available2022-01-26T10:44:30Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationТарасюк В. О. Эволюция края фундаментального поглощения кварцевых стекол при имплантации ионами рения / В. О. Тарасюк, Д. Ю. Бирюков, А. Ф. Зацепин // Физика. Технологии. Инновации (Секция 1) : тезисы докладов IV Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 15–19 мая 2017 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2017. — C. 167-168.ru
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/107546-
dc.description.abstractIt is established that ion implantation causes the growth of structural disordering of the SiO2 matrix and the fluence of Re+ ions is equivalent to some Urbach temperature of disordering.en
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherУрФУru
dc.relation.ispartofФизика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2017). — Екатеринбург, 2017ru
dc.titleЭволюция края фундаментального поглощения кварцевых стекол при имплантации ионами ренияru
dc.title.alternativeEVOLUTION OF THE EDGE OF FUNDAMENTAL ABSORPTION OF QUARTZ GLASS DURING IMPLANTATION WITH RHENIUM IONSen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.conference.nameIV Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»ru
dc.conference.date15.05.2017-19.05.2017-
local.description.firstpage167
local.description.lastpage168
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2017_102.pdf418,78 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.