ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/106766| Название: | РАЗРАБОТКА ПАРАМЕТРИЗОВАННОЙ МОДЕЛИ ТОПОЛОГИИ n-МОП ТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ |
| Другие названия: | PARAMETRIC LAYOUT CELL DESIGN OF n-MOS TRANSISTOR WITH ENHANCED RADIATION HARDENED PROPERTIES |
| Авторы: | Serazetdinov, A. R. Atkin, E. V. Khokhlov, K. O. Серазетдинов, А. Р. Аткин, Э. В. Хохлов, К. О. |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | УрФУ |
| Библиографическое описание: | Серазетдинов А. Р. РАЗРАБОТКА ПАРАМЕТРИЗОВАННОЙ МОДЕЛИ ТОПОЛОГИИ n-МОП ТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ / А. Р. Серазетдинов, Э. В. Аткин, К. О. Хохлов // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VII Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию Уральского федерального университета (Екатеринбург, 18–22 мая 2020 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2020. — C. 445-446. |
| Аннотация: | Design technique to provide n-channel MOS transistors with radiation hardened properties is considered. Radiation hardening is done through enclosed gate transistor structure design. Some aspects are considered in terms of characterization and test structures implementation. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/106766 |
| Конференция/семинар: | VII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию Уральского федерального университета |
| Дата конференции/семинара: | 18.05.2020-22.05.2020 |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2020) |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| fti_2020_233.pdf | 287,33 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.