ISSN: 2310-757X
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/106766| Title: | РАЗРАБОТКА ПАРАМЕТРИЗОВАННОЙ МОДЕЛИ ТОПОЛОГИИ n-МОП ТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ |
| Other Titles: | PARAMETRIC LAYOUT CELL DESIGN OF n-MOS TRANSISTOR WITH ENHANCED RADIATION HARDENED PROPERTIES |
| Authors: | Serazetdinov, A. R. Atkin, E. V. Khokhlov, K. O. Серазетдинов, А. Р. Аткин, Э. В. Хохлов, К. О. |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | УрФУ |
| Citation: | Серазетдинов А. Р. РАЗРАБОТКА ПАРАМЕТРИЗОВАННОЙ МОДЕЛИ ТОПОЛОГИИ n-МОП ТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ / А. Р. Серазетдинов, Э. В. Аткин, К. О. Хохлов // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VII Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию Уральского федерального университета (Екатеринбург, 18–22 мая 2020 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2020. — C. 445-446. |
| Abstract: | Design technique to provide n-channel MOS transistors with radiation hardened properties is considered. Radiation hardening is done through enclosed gate transistor structure design. Some aspects are considered in terms of characterization and test structures implementation. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/106766 |
| Conference name: | VII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию Уральского федерального университета |
| Conference date: | 18.05.2020-22.05.2020 |
| Origin: | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2020) |
| Appears in Collections: | Конференции, семинары |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| fti_2020_233.pdf | 287,33 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.