РАЗРАБОТКА ПАРАМЕТРИЗОВАННОЙ МОДЕЛИ ТОПОЛОГИИ n-МОП ТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ

Serazetdinov, A. R.; Atkin, E. V.; Khokhlov, K. O.; Серазетдинов, А. Р.; Аткин, Э. В.; Хохлов, К. О.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/106766

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Serazetdinov, A. R.	en
dc.contributor.author	Atkin, E. V.	en
dc.contributor.author	Khokhlov, K. O.	en
dc.contributor.author	Серазетдинов, А. Р.	ru
dc.contributor.author	Аткин, Э. В.	ru
dc.contributor.author	Хохлов, К. О.	ru
dc.date.accessioned	2021-12-30T04:55:28Z	-
dc.date.available	2021-12-30T04:55:28Z	-
dc.date.issued	2020	-
dc.identifier.citation	Серазетдинов А. Р. РАЗРАБОТКА ПАРАМЕТРИЗОВАННОЙ МОДЕЛИ ТОПОЛОГИИ n-МОП ТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ / А. Р. Серазетдинов, Э. В. Аткин, К. О. Хохлов // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VII Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию Уральского федерального университета (Екатеринбург, 18–22 мая 2020 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2020. — C. 445-446.	ru
dc.identifier.uri	http://elar.urfu.ru/handle/10995/106766	-
dc.description.abstract	Design technique to provide n-channel MOS transistors with radiation hardened properties is considered. Radiation hardening is done through enclosed gate transistor structure design. Some aspects are considered in terms of characterization and test structures implementation.	en
dc.format.mimetype	application/pdf	en
dc.language.iso	ru	en
dc.publisher	УрФУ	ru
dc.relation.ispartof	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2020)	ru
dc.title	РАЗРАБОТКА ПАРАМЕТРИЗОВАННОЙ МОДЕЛИ ТОПОЛОГИИ n-МОП ТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ	ru
dc.title.alternative	PARAMETRIC LAYOUT CELL DESIGN OF n-MOS TRANSISTOR WITH ENHANCED RADIATION HARDENED PROPERTIES	en
dc.type	Conference Paper	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	en
dc.conference.name	VII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию Уральского федерального университета	ru
dc.conference.date	18.05.2020-22.05.2020	-
local.description.firstpage	445	-
local.description.lastpage	446	-
Располагается в коллекциях:	Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
fti_2020_233.pdf		287,33 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать базовое описание ресурса Статистика

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.