Зондовый метод для картирования интенсивности и спектра излучения полупроводниковых лазерных структур

Abstract

В работе предложен зондовый метод, позволяющий визуализировать области выхода излучения из поверхности сколотых полупроводниковых лазеров с субволновым разрешением. Метод основан на детектировании в вакуумных условиях сдвига резонансной частоты зонда, связанной с нагревом балки либо кончика зонда излучением.

Scanning probe method is proposed that allows to visualize regions of light emission on the cleavage surface of semiconductor lasers with a subwavelength resolution. The method is based on detecting under vacuum conditions of a shift in the resonant frequency of the probe related with the cantilever or probe tip heating by laser radiation.