Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/104124
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Полубавкина, Ю. С. | ru |
dc.contributor.author | Крыжановская, Н. В. | ru |
dc.contributor.author | Моисеев, Э. И. | ru |
dc.contributor.author | Зубов, Ф. И. | ru |
dc.contributor.author | Гордеев, Н. Ю. | ru |
dc.contributor.author | Паюсов, А. С. | ru |
dc.contributor.author | Шерняков, Ю. М. | ru |
dc.contributor.author | Минтаиров, С. А. | ru |
dc.contributor.author | Калюжный, Н. А. | ru |
dc.contributor.author | Кулагина, М. М. | ru |
dc.contributor.author | Максимов, М. В. | ru |
dc.contributor.author | Жуков, А. Е. | ru |
dc.contributor.author | Polubavkina, Yu .S. | en |
dc.contributor.author | Kryzhanovskaya, N. V | en |
dc.contributor.author | Moiseev, E. I. | en |
dc.contributor.author | Zubov, F. I. | en |
dc.contributor.author | Gordeev, N. Yu. | en |
dc.contributor.author | Payusov, A. S. | en |
dc.contributor.author | Shernyakov, Yu. M. | en |
dc.contributor.author | Mintairov, S. A. | en |
dc.contributor.author | Kalyuzhnyy, N. A. | en |
dc.contributor.author | Kulagina, M. M. | en |
dc.contributor.author | Maximov, M. V | en |
dc.contributor.author | Zhukov, A. E. | en |
dc.date.accessioned | 2021-09-20T13:51:34Z | - |
dc.date.available | 2021-09-20T13:51:34Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.citation | Использование сканирующей ближнепольной оптической микроскопии для исследования мощных полупроводниковых лазеров / Ю. С. Полубавкина, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев и др. // Scanning Probe Microscopy. Abstract Book of International Conference (Ekaterinburg, August 27-30, 2017). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2017. — 36 p. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-5-9500624-0-7 | - |
dc.identifier.uri | http://elar.urfu.ru/handle/10995/104124 | - |
dc.description.abstract | В данной работе были исследованы карты распределения ближнего поля InGaAs/GaAs/AlGaAs полосковых инжекционных лазеров при различных токах накачки. Было показано, что в структурах, состоящих из двух резонансно связанных волноводов, наблюдается подавление мод высоких порядков. | ru |
dc.description.abstract | Near field intensity distributions of InGaAs/GaAs/AlGaAs lasers including broadened waveguides based on coupled large optical cavity (CLOC) structures were investigated. It was demonstrated that scanning near field optical microscopy gives direct proof of suppressing the transverse high-order mode lasing. | en |
dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке РНФ (соглашение № 14-42-00006-П) | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Ural Federal University | en |
dc.relation | info:eu-repo/grantAgreement/RSF//14-42-00006 | en |
dc.relation.ispartof | International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Youth Conference "Application of Scanning Probe Microscopy in Scientific Research". — Ekaterinburg, 2017 | ru |
dc.title | Использование сканирующей ближнепольной оптической микроскопии для исследования мощных полупроводниковых лазеров | ru |
dc.title.alternative | Near field scanning optical microscopy for investigation of high power semiconductor lasers | en |
dc.type | Conference Paper | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.conference.name | International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Youth Conference "Application of Scanning Probe Microscopy in Scientific Research" | en |
dc.conference.date | 27.08.2017-30.08.2017 | - |
local.description.firstpage | 36 | - |
local.description.lastpage | 37 | - |
local.description.order | O-02 | - |
local.fund.rsf | 14-42-00006 | - |
Располагается в коллекциях: | Scanning Probe Microscopy |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
978-5-9500624-0-7_2017_021.pdf | 376,22 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.