Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/104124
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПолубавкина, Ю. С.ru
dc.contributor.authorКрыжановская, Н. В.ru
dc.contributor.authorМоисеев, Э. И.ru
dc.contributor.authorЗубов, Ф. И.ru
dc.contributor.authorГордеев, Н. Ю.ru
dc.contributor.authorПаюсов, А. С.ru
dc.contributor.authorШерняков, Ю. М.ru
dc.contributor.authorМинтаиров, С. А.ru
dc.contributor.authorКалюжный, Н. А.ru
dc.contributor.authorКулагина, М. М.ru
dc.contributor.authorМаксимов, М. В.ru
dc.contributor.authorЖуков, А. Е.ru
dc.contributor.authorPolubavkina, Yu .S.en
dc.contributor.authorKryzhanovskaya, N. Ven
dc.contributor.authorMoiseev, E. I.en
dc.contributor.authorZubov, F. I.en
dc.contributor.authorGordeev, N. Yu.en
dc.contributor.authorPayusov, A. S.en
dc.contributor.authorShernyakov, Yu. M.en
dc.contributor.authorMintairov, S. A.en
dc.contributor.authorKalyuzhnyy, N. A.en
dc.contributor.authorKulagina, M. M.en
dc.contributor.authorMaximov, M. Ven
dc.contributor.authorZhukov, A. E.en
dc.date.accessioned2021-09-20T13:51:34Z-
dc.date.available2021-09-20T13:51:34Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationИспользование сканирующей ближнепольной оптической микроскопии для исследования мощных полупроводниковых лазеров / Ю. С. Полубавкина, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев и др. // Scanning Probe Microscopy. Abstract Book of International Conference (Ekaterinburg, August 27-30, 2017). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2017. — 36 p.ru
dc.identifier.isbn978-5-9500624-0-7-
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/104124-
dc.description.abstractВ данной работе были исследованы карты распределения ближнего поля InGaAs/GaAs/AlGaAs полосковых инжекционных лазеров при различных токах накачки. Было показано, что в структурах, состоящих из двух резонансно связанных волноводов, наблюдается подавление мод высоких порядков.ru
dc.description.abstractNear field intensity distributions of InGaAs/GaAs/AlGaAs lasers including broadened waveguides based on coupled large optical cavity (CLOC) structures were investigated. It was demonstrated that scanning near field optical microscopy gives direct proof of suppressing the transverse high-order mode lasing.en
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке РНФ (соглашение № 14-42-00006-П)ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherUral Federal Universityen
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/RSF//14-42-00006en
dc.relation.ispartofInternational Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Youth Conference "Application of Scanning Probe Microscopy in Scientific Research". — Ekaterinburg, 2017ru
dc.titleИспользование сканирующей ближнепольной оптической микроскопии для исследования мощных полупроводниковых лазеровru
dc.title.alternativeNear field scanning optical microscopy for investigation of high power semiconductor lasersen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.conference.nameInternational Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Youth Conference "Application of Scanning Probe Microscopy in Scientific Research"en
dc.conference.date27.08.2017-30.08.2017-
local.description.firstpage36-
local.description.lastpage37-
local.description.orderO-02-
local.fund.rsf14-42-00006-
Располагается в коллекциях:Scanning Probe Microscopy

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-9500624-0-7_2017_021.pdf376,22 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.